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[期刊论文] 作者：陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2011
对10位CMOS模数转换器ADC7910的^60Coγ射线的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果显示：模数混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有明显区别,在高剂量率辐照下的损...
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,李茂顺,崔江维,王义元,吾勤之,
来源：原子能科学技术 年份：2011
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vo...
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,李茂顺,崔江维,王义元,吾勤之,刘伟鑫,,
来源：原子能科学技术 年份：2011
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vo...
[期刊论文] 作者：李茂顺,余学峰,任迪远,郭旗,李豫东,高博,崔江维,兰博,费武雄,陈睿,赵云,,
来源：微电子学 年份：2011
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功...
[期刊论文] 作者：费武雄,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,陈睿,王志宽,杨永晖,李茂顺,兰博,崔江维,赵云,,
来源：原子能科学技术 年份：2011
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置...
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