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[期刊论文] 作者：贾月辉, 武一宾, 杨瑞霞, 白晨皓,,
来源：半导体技术 年份：2009
在迁移率谱分析技术中,除了真实反映材料中载流子信息的峰之外,有时还会出现一些没有物理意义的多余峰,即所谓的"映像峰"。这会给实验结果的分析造成一定的假象,甚至会导致错...
[期刊论文] 作者：王建峰,商耀辉,武一宾,牛晨亮,卜夏正,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延（MBE）技术和S-K应变自组装模式,在GaAs（100）衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数：A......
[期刊论文] 作者：卜夏正,武一宾,商耀辉,牛晨亮,赵辉,崔琦,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
设计并用分子束外延（MBE）法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料，采用高分辨率X射线双晶衍射仪（DCXRD）、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及......
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