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[期刊论文] 作者：吕晶,杨瑞霞,武一宾,孙莹,,
来源：半导体技术 年份：2010
设计并使用分子束外延（MBE）方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAsPHEMT外延材料，采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对...
Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations durin
[期刊论文] 作者：杨瑞霞,武一宾,牛晨亮,杨帆,,
来源：半导体学报 年份：2010
The growth by molecular beam epitaxy of high quality GaAs epilayers on nonmisoriented GaAs(111)B substrates is reported.Growth control of the GaAs epilayers is...
[期刊论文] 作者：孙莹,杨瑞霞,武一宾,吕晶,王风,,
来源：半导体技术 年份：2010
采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs／AlxGahAs量子阱红外探测器外延材料。通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析，研究了量子阱红...
[期刊论文] 作者：武一宾,杨瑞霞,商耀辉,牛晨亮,王健,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-...
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