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[期刊论文] 作者：全林,江新标,
来源：核动力工程 年份：2007
采用反应堆孔道深穿透屏蔽计算的点探测器、DXTRAN球抽样方法，计算了西安脉冲堆径向孔道出口处中子、光子的注量率空间分布、能谱分布和角分布等重要参数，并利用相应的实验测量......
[期刊论文] 作者：闫佼丽,江新标,
来源：理论观察 年份：2007
原子弹问世后，美国率先提出了核威慑战略。不久苏联打破了美国的核垄断，双方运用核威慑，互相对抗，使得两极格局更加僵化。冷战时期，核威慑给国际安全带来诸多隐患。与此同时，客观上......
[期刊论文] 作者：全林,屠荆,江新标,,
来源：清华大学学报(自然科学版) 年份：2007
为了弥补用于HPGe探测器低能相对探测效率刻度、单能光子在HPGe探测系统上的能量全响应函数拟合实验数据不足的缺点,采用Monte Carlo方法模拟了一系列单能光子在该探测器上能...
[期刊论文] 作者：全林，屠荆，江新标，QUANLin，TUJing，JIANG,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2007
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：刘书焕, 郭晓强, 李达, 林东生, 江新标, 朱广宁, 陈伟,,
来源：核技术 年份：2007
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[期刊论文] 作者：刘书焕, 林东生, 郭晓强, 刘红兵, 江新标, 朱广宁, 李达,
来源：半导体学报 年份：2007
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[期刊论文] 作者：刘书焕,郭晓强,李达,林东生,江新标,朱广宁,陈伟,张伟,周,
来源：核技术 年份：2007
本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10^13cm^-2的脉冲中子注量和257Gy（Si）γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小...
[期刊论文] 作者：刘书焕,江新标,于青玉,仲云红,张文首,张继红,杨军,王应林,
来源：核动力工程 年份：2007
采用飞行时间法测量了西安脉冲堆热柱孔道热中子束流中子能谱分布,能谱测量结果较Thermal Maxwellian理论谱偏软,中子谱平均能量为0.042±0.01eV.采用金箔活化法测得热柱...
[期刊论文] 作者：刘书焕,林东生,郭晓强,刘红兵,江新标,朱广宁,李达,王祖军,
来源：半导体学报 年份：2007
测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGe HBT典型电参数变化．在反应堆1×10%13cm^-2的脉冲中子注量和256.85Gy（Si）γ总剂量辐照后，SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20％．辐照后基极电...
[期刊论文] 作者：王鹏,章翔,江新标,程光,赵英,梁景文,曹锐峰,王剑博,,
来源：中华神经外科疾病研究杂志 年份：2007
目的研究硼中子俘获疗法（BNCT）能否诱导体外培养的U251细胞发生凋亡，并探讨其诱导细胞凋亡的机制。方法采用四甲基偶氮唑蓝（MTT）法绘制细胞生长曲线，应用光镜、荧光显微镜、透射电......
[会议论文] 作者：刘书焕,刘喃喃,李达,王祖军,江新标,朱广宁,周辉,李君利,邵贝贝,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
介绍了截面偏倚减方差方法和Geant4基本结构功能;应用模拟计算了不同能量(1MeV、14MeV和反应堆中子源)中子在微波SiGe HBT器件中产生的的电离、非电离和声子能量沉积、粒子径...
[期刊论文] 作者：王鹏,章翔,江新标,程光,姬西团,赵英,肖燕,王剑博,刘红,
来源：中华神经医学杂志 年份：2007
目的 探讨硼中子俘获疗法(BNCT)治疗G422胶质细胞瘤的效果.方法 建立小鼠颅内G422胶质细胞瘤模型,以ICP-AES法测定荷瘤小鼠不同组织中的10B浓度.将荷瘤小鼠随机分为未照射组(0Gy)、γ射线对照组(5、10 Gy)、反应堆组(5、10 Gy)、BNCT组(5、10 Gy).采用生存时间......
[期刊论文] 作者：刘书焕,郭晓强,李达,林东生,江新标,朱广宁,陈伟,张伟,周辉,邵贝贝,李君利,,
来源：核技术 年份：2007
本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10~(13)cm-2的脉冲中子注量和257Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了...
[期刊论文] 作者：刘书焕,江新标,于青玉,仲云红,张文首,张继红,杨军,王应林,王凯,方绍辉,,
来源：核动力工程 年份：2007
采用飞行时间法测量了西安脉冲堆热柱孔道热中子束流中子能谱分布,能谱测量结果较Thermal Maxwellian理论谱偏软,中子谱平均能量为0.042±0.01eV。采用金箔活化法测得热柱孔...
[期刊论文] 作者：刘书焕,林东生,郭晓强,刘红兵,江新标,朱广宁,李达,王祖军,陈伟,张伟,周辉,邵贝贝,李君利,,
来源：半导体学报 年份：2007
测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGeHBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256·85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电...
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