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[期刊论文] 作者：罗静,颜燕,罗晟,洪根深,胡永强,,
来源：电子与封装 年份：2011
ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI／CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特...
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