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[期刊论文] 作者：李燕妃,孙家林,王蕾,吴建伟,洪根深,贺琪,
来源：原子能科学技术 年份：2021
由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应(SEGR)和单粒子烧毁效应(SEB).本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应.基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射......
[期刊论文] 作者：李燕妃,孙家林,王蕾,吴建伟,洪根深,贺琪,
来源：原子能科学技术 年份：2021
由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应（SEGR）和单粒子烧毁效应（SEB）。本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应。基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射加......
[期刊论文] 作者：张庆东,吴建伟,李金航,宋帅,纪旭明,顾祥,洪根深,李冰,
来源：原子能科学技术 年份：2021
绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(tSi)的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要.本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的模型,并对其进行了分......
[期刊论文] 作者：潘福跃,张明新,曹利超,刘佰清,洪根深,张海良,刘国柱,
来源：电子与封装 年份：2021
ONO(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件.基于0.6 μm CMOS工艺,分别采用“AF+MOS”和“MOS+AF”集成...
[期刊论文] 作者：施辉,张海良,宋思德,曹利超,王印权,刘国柱,顾祥,吴建伟,洪根深,李明华,贺琪,
来源：航天器环境工程 年份：2021
回顾从首款商用磁随机存取存储器(MRAM)芯片面世以来国际上对MRAM芯片辐射效应的研究;总结MRAM总剂量电离效应和单粒子效应辐照试验研究结果,以及辐射效应导致MRAM读写错误的...
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