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[期刊论文] 作者：刘亮,张海英,尹军舰,李潇,徐静波,宋雨竹,牛洁斌,刘训春,
来源：半导体学报 年份：2007
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管，这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管，器件直流特性也很优异：跨导...
[期刊论文] 作者：朱效立,马杰,曹磊峰,杨家敏,谢常青,刘明,陈宝钦,牛洁斌,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅。首先利用电...
[期刊论文] 作者：刘亮,张海英,尹军舰,李潇,徐静波,宋雨竹,牛洁斌,刘训春,,
来源：半导体学报 年份：2007
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨...
[期刊论文] 作者：刘亮,张海英,尹军舰,李潇,杨浩,徐静波,宋雨竹,张健,牛洁斌,刘训春,,
来源：半导体学报 年份：2007
通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高...
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