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[期刊论文] 作者：陈延博,杨兵,康玄武,郑英奎,张静,吴昊,刘新宇,
来源：半导体技术 年份：2022
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD).探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N2氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能.通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀工艺,实现了低损伤的侧壁.同......
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