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[期刊论文] 作者：钟义, 张晋敏, 王立, 贺腾, 肖清泉, 谢泉,,
来源：人工晶体学报 年份：2021
采用第一性原理计算方法,对本征Mn4Si7以及P和As掺杂的Mn4Si7的电子结构和光学性质进行计算解析。计算结果表明本征Mn4Si7是带隙值为0.810 eV的间接带隙半导体材料,P掺杂Mn4S...
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