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[学位论文] 作者：王邹平,
来源： 年份：2009
GaN是一种非常优异的Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料,具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。室温下GaN的禁带宽度是3.4eV,可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝三原色具备的全光固体显示,在光电子学和微电子学......
[学位论文] 作者：王邹平,
来源：山东师范大学 年份：2009
GaN是一种非常优异的III—V族宽带隙半导体材料，具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。室温下GaN的禁带宽度是3.4eV，可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝三原色具备的全光固体显示，在光电子学和微电子学领......
[期刊论文] 作者：王英,薛成山,庄惠照,王邹平,张冬冬,黄英龙,,
来源：功能材料 年份：2009
采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜，通过化学气相沉积法（CVD）制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分......
[期刊论文] 作者：薛成山,张冬冬,庄惠照,黄英龙,王邹平,王英,,
来源：物理化学学报 年份：2009
利用类似Delta掺杂技术在硅衬底上沉积Mg：Ga2O3薄膜，然后在850℃下对薄膜进行氨化，反应后制备出大量Mg掺杂GaN纳米线．采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外（FTIR）......
[期刊论文] 作者：王邹平,薛成山,庄惠照,王英,张冬冬,黄英龙,郭永福,,
来源：功能材料 年份：2009
采用磁控溅射的方法在Si（111）衬底上溅射沉积Ga2O3／Cr膜，并通过氨化的方法在Si（111）衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料，研究了不同的氯化温度对合成GaN纳米材料的影响。采......
[期刊论文] 作者：薛成山,李红,庄惠照,陈金华,杨兆柱,秦丽霞,王英,王邹平,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2009
利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的...
[期刊论文] 作者：薛成山,李红,庄惠照,陈金华,杨兆柱,秦丽霞,王英,王邹平,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2009
利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的...
[期刊论文] 作者：黄英龙,薛成山,庄惠照,张冬冬,王英,王邹平,郭永福,刘文军,,
来源：功能材料 年份：2009
通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线,用金属镁粉末作为掺杂源,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2O3薄膜制备GaN纳米线。X射线衍射(XRD)、...
[期刊论文] 作者：杨兆柱,薛成山,庄慧照,王公堂,陈金华,李红,秦丽霞,王邹平,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2009
氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线，X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现，纳米线具有十分光滑且干净的表面，其直径为20-60mm左右，长度达到十几微米......
[期刊论文] 作者：杨兆柱,薛成山,庄慧照,王公堂,陈金华,李红,秦丽霞,王邹平,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2009
氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线,X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为20~60nm左右,长度达到十几...
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