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[期刊论文] 作者：王晓强,甄聪棉,李明亚,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2008
利用Sol-Gel二步水解法制备了TiO2／SiO2复合薄膜材料，对样品在空气气氛中进行加热，再于不同温度下进行了退火处理。采用XRD以及Raman谱表征了样品的微结构，并通过紫外可见透射谱...
[期刊论文] 作者：吴现成,闫大为,徐大印,甄聪棉,,
来源：烟台大学学报(自然科学与工程版) 年份：2008
采用自制的双电解槽、高纯石墨电极，在一定浓度的氢氟酸乙醇溶液中阳极氧化腐蚀硅片制备一定孔隙度的多孔硅．利用荧光分析仪（激发波长250nm）分析了样品的光学特性，在470nm处观测到......
[期刊论文] 作者：吴现成,闫大为,徐大印,甄聪棉,,
来源：科技创新导报 年份：2008
研究多孔硅制备参数对其光致发光行为的影响,是开发新型光电器件的基础。一般考虑三个主要因素：电流密度,腐蚀时间,溶液浓度,这些因素首先对孔隙度产生直接影响.本文提出利用...
[期刊论文] 作者：甄聪棉,张金娟,刘彩霞,张永进,
来源：河北师范大学学报：自然科学版 年份：2008
采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样品的发光强度和峰位与电流密度存在密切关系...
[期刊论文] 作者：王晓强，甄聪棉，李明亚，WangXiaoqiang，ZhenCongmian，LiMingya,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2008
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[期刊论文] 作者：卢振伟,吴现成,徐大印,赵丽丽,张道明,王文海,甄聪棉,,
来源：材料导报 年份：2008
随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2栅介质将无法满足Metaloxide-semiconductor field-effect transistor（MOSFET）器件高集成度的需求。因此,...
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