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[期刊论文] 作者：G.Beuchet,章其林,,
来源：半导体情报 年份：2004
用一种新设计的反应器在InP衬底上生长InP及GaInAs层。对InP的生长参量已作了观察。对0.03≤x≤0.60的Ga_(1-x)In_xAs合金系进行了研究。生长了N_D—N_A=5×10~(17)cm~(-3)掺...
[期刊论文] 作者：J V.Dilorenzo,章其林,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文评论了作为微波和高速器件材料工艺的化学汽相沉积、分子束外延、离子注入以及液相外延的状况。对文献作了综合介绍,指出了最近15年来的研究趋势。评论了微波器件对材料...
[期刊论文] 作者：刘峰,章其林,
来源：铜陵学院学报 年份：2004
在5-310K温度范围内，研究了Sn替代对化合物Zn1-xSn沁b3的低温热电性能的影响。研究结果表明相对于无掺杂的Zn4Sb3，（Zn1-xSb3（x≠0）的低温热导率明显降低，并且随着Sn掺杂含量的增加...
[期刊论文] 作者：章其林,陈惠民,孙玉屏,,
来源：半导体情报 年份：2004
观察了 Ga-AsCl_3-H_2体系的 GaAs 外延整个过程中镓源状态的变化规律,并估计了系统中 GaCl/As 比的变化情况,报导并讨论了镓源状态对外延层厚度与浓度影响的规律。最后介绍...
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