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[会议论文] 作者：章晓中;,
来源：2006年全国首届电磁材料及器件学术会议 年份：2006
任何物质在磁场下,它的电阻会改变,这称为磁电阻现象,这种磁电阻称为普通磁电阻(OMR),它的磁电阻率(MR)为正,大小一般小于2﹪,且具有MR正比于磁场平方的关系.1988年以来,人们相...
[期刊论文] 作者：章晓中,薛庆忠,,
来源：稀有金属 年份：2006
利用激光脉冲沉积（PLD）方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si。Fex-C1-x/Si的磁电阻（MR）可正可负，随温度而变化。当温度T〈258K时，Fe0．011-C0.989／Si的M...
[期刊论文] 作者：杨卫国,章晓中,袁俊,
来源：2006年全国电子显微学会议 年份：2006
材料宏观性能的差异归根到底来源于其电子结构的差异.在过去半个多世纪里,过渡金属的d电子一直是固体物理领域内研究的一个重要内容;同时,在过渡金属形成合金的过程中,究竟是...
[期刊论文] 作者：杨卫国,章晓中,袁俊,,
来源：物理学报 年份：2006
提出了一种由电子能量损失谱(EELS)计算过渡金属d电子数的“浮动窗口”方法,该方法是对现有方法的优化,它消除了现有方法中存在的严重的系统误差,能达到较高的精度.它的应用...
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