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[会议论文] 作者：罗家传,崔晓东,倪闪闪,罗家俊,
来源：第七届全国小麦遗传育种学术研讨会 年份：2015
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[期刊论文] 作者：解冰清,毕津顺,李博,罗家俊,,
来源：微电子学 年份：2015
讨论了在极端低温下,硅基半导体在器件级和电路级特性的研究进展。在器件级,分析了极端低温下体硅器件和SOI器件常规电学特性的异常变化,讨论了一些只在极端低温下出现的特殊...
[期刊论文] 作者：国硕,毕津顺,罗家俊,韩郑生,,
来源：半导体技术 年份：2015
在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷。这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应。...
[期刊论文] 作者：王路璐,李洵,高博,王立新,罗家俊,韩郑生,,
来源：微电子学 年份：2015
金铝键合失效是MOSFET器件常见的失效模式之一,主要是由于金属间化合物的生成,影响了金铝键合的接触电性能,从而导致键合强度下降,接触电阻升高。针对这种失效模式,进行了三...
[期刊论文] 作者：赵洪利,曾传滨,刘魁勇,刘刚,罗家俊,韩郑生,,
来源：半导体技术 年份：2015
基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关...
[期刊论文] 作者：赵洪利,高林春,曾传滨,刘魁勇,罗家俊,韩郑生,,
来源：微电子学与计算机 年份：2015
直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.13μm SOI工艺制造的NMOS器件为测试对象,对...
[期刊论文] 作者：赵洪利,高林春,曾传滨,刘魁勇,罗家俊,韩郑生,,
来源：微电子学 年份：2015
利用基于复合理论的直流电流电压法,提取SOI器件背栅界面陷阱密度。给出了具体的测试原理,以0.13μm SOI工艺制造的部分耗尽NMOS和PMOS器件为测试对象,分别对两种器件的背界...
[期刊论文] 作者：鲍进华,李博,曾传滨,高林春,毕津顺,刘海南,罗家俊,,
来源：半导体技术 年份：2015
应用于航天工程的锁相环(PLL)电路遭受太空高能粒子轰击时会发生单粒子效应(SEE),引起电路失锁,对系统造成灾难性影响。分析了鉴频鉴相器(PFD)和分频器(DIV)模块的单粒子效应...
[期刊论文] 作者：赵星,梅博,毕津顺,郑中山,高林春,曾传滨,罗家俊,于芳,韩,
来源：物理学报 年份：2015
利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应，分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响...
[期刊论文] 作者：赵星,梅博,毕津顺,郑中山,高林春,曾传滨,罗家俊,于芳,韩郑生,,
来源：物理学报 年份：2015
利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影...
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