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[期刊论文] 作者:崔岩,杨玲,高腾,李博,罗家俊,, 来源:Chinese Physics B 年份:2017
The 1-Mb and 4-Mb commercial toggle magnetoresistive random-access memories(MRAMs) with 0.13 μm and 0.18-μm complementary metal–oxide–semiconductor(CMOS) pr...
[期刊论文] 作者:毕津顺,贾少旭,韩郑生,罗家俊,, 来源:太赫兹科学与电子信息学报 年份:2017
基于Geant4工具,进行高能粒子入射的蒙特卡洛仿真。介绍了仿真理论,以总反应截面和淀积电荷为参量,研究了后端金属互联工艺对于半导体集成电路单粒子翻转效应(SEE)的影响。实验......
[期刊论文] 作者:黄云波,李博,杨玲,韩郑生,罗家俊,, 来源:微电子学 年份:2017
系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流、交流、噪声特性的变化,以及器件的特殊现...
[期刊论文] 作者:王典,李博,赵宇红,李彬鸿,罗家俊,林雪芳,阿拉·布鲁诺, 来源:微电子学 年份:2017
将滑模控制算法应用于Buck转换器的控制中,获得了快的收敛速度和良好的鲁棒性.这种控制策略可在FPGA上实现.为实现滑模控制算法,提出了一种基于拓扑结构的观测器,解决了传统...
[期刊论文] 作者:喻巧群,陆江,刘海南,罗家俊,李博,王立新,韩郑生,, 来源:Chinese Physics B 年份:2017
We present a detailed study of a superjunction(SJ) nanoscale partially narrow mesa(PNM) insulated gate bipolar transistor(IGBT) structure. This structure is cre...
[期刊论文] 作者:于猛,曾传滨,闫薇薇,李博,高林春,罗家俊,韩郑生,, 来源:微电子学与计算机 年份:2017
分析了一款基于0.35μmPDSOI工艺的锁相环(PLL)电路的抗单粒子瞬变(SET)能力,利用相位抖动为表征参数评估SET对PLL电路的影响与产生影响的可能性.电路级仿真采用优化过的SET注入模型......
[期刊论文] 作者:闫薇薇,高林春,李晓静,赵发展,曾传滨,罗家俊,韩郑生,, 来源:Chinese Physics B 年份:2017
In this study, we investigate the single-event transient(SET) characteristics of a partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI) metal-oxide-semiconductor(MOS)...
[期刊论文] 作者:黄其照,王青艳,罗勇,苏柱流,黄艺铸,陈崇美,李锦庆,罗文杰,罗家俊,崔建恒,, 来源:城市道桥与防洪 年份:2017
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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