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[期刊论文] 作者：张进城,董作典,秦雪雪,郑鹏天,刘林杰,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2004
通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结...
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