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[期刊论文] 作者：董四华,刘英坤,冯彬,孙艳玲,,
来源：半导体技术 年份：2007
介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法。该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到...
[期刊论文] 作者：冯彬,刘英坤,孙艳玲,段雪,董四华,
来源：半导体技术 年份：2007
利用工艺仿真软件Tsuprem4，针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准，并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数，与研制结果进行了...
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