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[会议论文] 作者：潘晓枫;沈亚;蒋幼泉;,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
采用集总元件的高通/低通网络构成移相网络和GaAs MESFET作为开关控制器件,利用南京电子器件研究所标准的0.5um PHEMT MMIC制造工艺,研制出X波段单片六位数字移相器.该移相器...
[会议论文] 作者：陈新宇,许正荣,蒋幼泉,李拂晓,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
采用GaAs平面PIN二极管,完成DC～26.5GHz的单刀单掷开关的设计、制作.宽带单刀单掷开关单片带内差损小于0.5dB,26.5GHz处隔离度22dB.开关单片采用离子注入技术的GaAs平面工艺加...
[期刊论文] 作者：陈新宇,蒋幼泉,许正荣,黄子乾,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
在微波功率发射系统中,为防止高灵敏接收机前置低噪声放大器(LNA)被发射的泄漏功率烧毁,需在前置低噪声放大器前面安置PIN二极管限幅器。通过控制PIN二极管的工作状态,在...
[会议论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管....
[期刊论文] 作者：陈新宇, 蒋幼泉, 许正荣, 黄子乾, 李拂晓,,
来源：半导体学报 年份：2006
采用GaAspin二极管,完成了15~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAspin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15~20GHz带内插损0·6dB,驻波优于1·5,...
[会议论文] 作者：陈新宇,许正荣,蒋幼泉,黄子乾,李拂晓,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文采用GaAs PIN二极管,完成1～40 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.砷化镓PIN二极管SPST开关单片具有低插损,高隔离,高功率的特点,在1～10 GHz带内插损0.3 dB,驻波优于1.1,隔离度大于24 dB,在10～40 GHz,带内插损小于0.8 dB,驻波优于1.2,隔离度大于30 dB.PIN二极......
[会议论文] 作者：陈刚;柏松;张涛;汪浩;李哲洋;陈雪兰;蒋幼泉;,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配...
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,蒋幼泉,冯欧,冯忠,杨立杰,李拂晓,陈辰,邵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探......
[会议论文] 作者：陈刚,李拂晓,邵凯,张震,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,黄念宁,陈辰,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果:在2 GHz频...
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,蒋幼泉,冯欧,冯忠,杨立杰,李拂晓,陈辰,邵凯,叶玉堂,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大,是光通信系统的关键环节。相对于混合集成,单片集成将光...
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