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[期刊论文] 作者：王家波,潘书山,蔺兰峰,,
来源：中国信息化 年份：2012
采用C波段微波芯片套片,研制出的 C波段T/R组件,由功率放大支路、低噪声接收支路和相位控制支路构成.发射支路末级功率放大器采用GaAs赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)功率芯片,...
[期刊论文] 作者：王家波 潘书山 蔺兰峰,
来源：中国信息化·学术版 年份：2012
【摘要】采用c波段微波芯片套片，研制出的c波段T/R组件，由功率放大支路、低噪声接收支路和相位控制支路构成。发射支路末级功率放大器采用Gahs赝配高电子迁移晶体管（PHEMT）功率芯片，实现c波段1 5w的功率輸出，发射效率达到40%；采用基于低温共烧陶瓷（LTCC）的集成基板，提高集......
[期刊论文] 作者：王家波 潘书山 蔺兰峰,
来源：中国信息化·学术版 年份：2012
【摘要】采用C波段微波芯片套片，研制出的C波段T/R组件，由功率放大支路、低噪声接收支路和相位控制支路构成。发射支路末级功率放大器采用GaAs赝配高电子迁移晶体管（PHEMT）功率芯片，实现C波段15w的功率输出，发射效率达到40%；采用基于低温共烧陶瓷（LTCC）的集成基板，提高集......
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