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[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2006
在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态......
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电......
[期刊论文] 作者：薛舫时,陈堂胜,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发，研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场梯度下的电荷控制模型；运用热电子隧穿电流崩......
[期刊论文] 作者：陈辰,陈堂胜,任春江,薛舫时,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工...
[会议论文] 作者：任春江,薛舫时,陈辰,陈堂胜,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工...
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