搜索筛选:
搜索耗时0.7955秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 8 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发，研究了AlGaN／GaN量子阱电子气密度随Al组份比、势垒层厚度和栅压的变化，比较了能带带阶和极化电荷对沟道阱能带和电子气特性的影响，研究了在......
[期刊论文] 作者：韩春林,薛舫时,高建峰,陈辰,,
来源：半导体技术 年份：2008
在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基R...
[期刊论文] 作者：孔月婵,薛舫时,周建军,李亮,陈辰,,
来源：半导体技术 年份：2008
采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后...
[会议论文] 作者：韩春林;薛舫时;高建峰;陈辰;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连...
[期刊论文] 作者：任春江,陈堂胜,焦刚,陈刚,薛舫时,陈辰,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的Al GaN/GaN HEMT表...
[会议论文] 作者：任春江,陈堂胜,焦刚,钟世昌,薛舫时,陈辰,
来源：全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2008
本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8......
[期刊论文] 作者：任春江,李忠辉,焦刚,钟世昌,董逊,薛舫时,陈辰,陈堂胜,
来源：半导体技术 年份：2008
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的...
[会议论文] 作者：任春江;李忠辉;焦刚;钟世昌;董逊;薛舫时;陈辰;陈堂胜;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化...
相关搜索：
