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[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱,求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化,发现通过适当的能带剪裁可以使基态子带和激发态子带分...
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