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GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制
[期刊论文] 作者：薛舫时,杨乃彬,陈堂胜,孔月婵, 来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL.在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程......
GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)
[期刊论文] 作者：薛舫时,杨乃彬,陈堂胜,孔月婵, 来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL.在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程......
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