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[期刊论文] 作者：薩支唐, 揭斌斌,,
来源：半导体学报 年份：2004
提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2004
本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,
来源：半导体学报 年份：2004
上篇论文(Ⅺ)报告双极场引晶体管的电化电流理论,这篇论文(Ⅻ)报告飘移扩散理论.两篇都讨论了单栅双栅,纯基不纯基,薄基厚基的情形.两篇都用表面及内部电势作为参变量耦合电...
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