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[期刊论文] 作者:谢红云, 来源:中学课程辅导高考版·教师版 年份:2012
摘 要:现代教学提倡学生主动发现问题,提出问题,学会质疑问难,进而分析和解决问题。然而在课堂上敢于质疑的学生并不多,这就需要教师在在教学中善于利用学生已有的知识,引导、鼓励学生大胆质疑、敢于质疑、勤于质疑、勇于质疑,并通过引导,教给学生质疑的方法。  关......
[期刊论文] 作者:沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,黄璐,, 来源:北京工业大学学报 年份:2012
研究有源器件SiGeHBT的几何参数对单片低噪声放大器(LNA)噪声性能的影响.基于0.35μmSiGeBiCMOS工艺,研制了4款采用不同几何参数的SiGeHBTLNA.实验结果显示,在给定的偏置条件下,当发......
[期刊论文] 作者:颜振宇,谢红云,段奇志,骆劲斌, 来源:核科学与工程 年份:2012
仪控设计验证平台是模拟核电厂运行的一项复杂系统工程,进行仪控系统工程自主设计验证开发,集成,调试,验证。每个核电项目的设计验证平台都包含大量的软硬件与厂房等配套设施...
[期刊论文] 作者:王春冰,平嘉临,段奇志,谢红云,谭珂, 来源:核科学与工程 年份:2012
介绍了压水堆核电厂多样性驱动系统的功能,并利用CPR1000数字化仪控验证平台为基础,对多样性驱动系统作为保护系统的多样性冗余进行了深入的分析,提供了一种DAS系统动态验证...
[期刊论文] 作者:丁春宝,张万荣,金冬月,谢红云,赵彦晓,, 来源:北京工业大学学报 年份:2012
基于Jazz0.35μmSiGe工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGeHBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结...
[期刊论文] 作者:赵昕,张万荣,金冬月,谢红云,付强,张东晖,, 来源:微电子学 年份:2012
建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiG...
[期刊论文] 作者:赵昕,张万荣,金冬月,付强,陈亮,谢红云,张瑜洁,, 来源:物理学报 年份:2012
基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SILVACO半导体器件仿真工具,建立了多指SiGe HB...
[期刊论文] 作者:张东晖,张万荣,谢红云,丁春宝,赵昕,刘波宇,, 来源:微电子学 年份:2012
偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技...
[期刊论文] 作者:丁春宝, 张万荣, 谢红云, 沈珮, 陈亮, 尤云霞, 孙博韬,, 来源:北京工业大学学报 年份:2012
[期刊论文] 作者:郭振杰, 张万荣, 谢红云, 金冬月, 丁春宝, 陈亮, 邢光辉, 来源:微电子学 年份:2012
[期刊论文] 作者:丁春宝,张万荣,谢红云,沈珮,陈亮,尤云霞,孙博韬,王任卿,, 来源:北京工业大学学报 年份:2012
基于Jazz0.35μmSiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16mm×0.78mm;在带...
[期刊论文] 作者:丁春宝,张万荣,金冬月,谢红云,陈亮,沈佩,张东晖,刘波宇,, 来源:高技术通讯 年份:2012
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC0.35μm SiGe...
[期刊论文] 作者:郭振杰,张万荣,谢红云,金冬月,丁春宝,陈亮,邢光辉,路志义, 来源:微电子学 年份:2012
针对传统接地有源电感的电感值低、Q值低等缺点,提出了一种改进型的有源电感,并给出了等效电路图及等效阻抗的表达式。基于TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用Cadence软件,完...
[期刊论文] 作者:路志义,谢红云,张万荣,霍文娟,郭振杰,邢光辉,张瑜洁,丁春宝,金冬月,, 来源:微电子学 年份:2012
提出了一款新型的双频段可变增益放大器(DBVGA),分别工作在3G-WCDMA的2.2GHz和WLAN的5.2GHz两个频段。放大器分为增益控制级、输入输出级和放大级。其中,增益控制级采用电流...
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