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[期刊论文] 作者：赵彦晓,张万荣,黄鑫,谢红云,金冬月,付强,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
The effect of lateral structure parameters of transistors including emitter width, emitter length, and emitter stripe number on the performance parameters of th...
[期刊论文] 作者：张良浩,谢红云,赵彦晓,张万荣,江之韵,刘硕,,
来源：电子学报 年份：2016
射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作...
[期刊论文] 作者：赵彦晓,张万荣,谢红云,黄鑫,张良浩,金子超,付强,,
来源：北京工业大学学报 年份：2016
为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGeHBT小信号模型参数的影响，通过Jazz0．35μm BiCMOS SiGeHBT的y参量，得出了在不同横向结构参数下SiGeHBT的小信号模型参数...
[期刊论文] 作者：陈鹏辉, 张万荣, 金冬月, 谢红云, 邓蔷薇, 刘鹏, 王忠俊,
来源：null 年份：2016
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[期刊论文] 作者：陈鹏辉,张万荣,金冬月,谢红云,邓蔷薇,刘鹏,王忠俊,张良浩,
来源：微电子学 年份：2016
基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计并实现了一种双频段低噪声放大器(DB-LNA).在输入级中,采用了2个LC并联谐振网络串联结构,结合PMOS管的源极负反馈电感,实现了DB-LNA在双频段...
[期刊论文] 作者：邓蔷薇,张万荣,金冬月,谢红云,刘鹏,王忠俊,陈鹏辉,王肖,张良浩,,
来源：微电子学 年份：2016
为了实现电感-电容压控振荡器(LC VCO)的全集成和小面积,同时使其振荡频率具有较宽的可调范围和较低的相位噪声,采用差分有源电感和Q值增强共源共栅电路结构,对LC VCO进行设...
[期刊论文] 作者：陈鹏辉,张万荣,金冬月,谢红云,邓蔷薇,刘鹏,王忠俊,张良浩,王肖,赵彦晓,,
来源：微电子学 年份：2016
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一种双频段低噪声放大器(DB-LNA)。在输入级中,采用了2个LC并联谐振网络串联结构,结合PMOS管的源极负反馈电感,实现了DB-LNA在双频段...
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