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[学位论文] 作者：谷立新,
来源：北京工业大学 年份：2013
本论文综合利用了X射线衍射(XRD)、电阻-温度测试(R-T)和透射电子显微学技术（包括选取电子衍射、明场形貌像、高分辨像、原位透射电镜加热技术和X射线能量色散谱等）对相变材料G...
[会议论文] 作者：张斌,谷立新,张滔,刘显强,韩晓东,张泽,
来源：2013年全国电子显微学学术会议 年份：2013
相变存储被认为是最具潜力的新一代存储技术(三星公司已将其用于该公司部分手机中),引起了人们的广泛关注.相变存储通常是利用材料在晶态与非晶之间的电阻率或折射率的差异,...
[期刊论文] 作者：谷立新,周夕淋,张斌,张滔,刘显强,韩晓东,吴良才,宋志棠,,
来源：电子显微学报 年份：2013
通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe—Sb薄膜，利用电阻一温度（R—T）测试、X射线衍射（XRD）和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征。发现薄膜的晶化温度随着sb含量......
[会议论文] 作者：张斌[1]谷立新[1]张滔[1]刘显强[1]韩晓东[1]张泽[2],
来源：2013年全国电子显微学学术会议 年份：2013
相变存储被认为是最具潜力的新一代存储技术(三星公司已将其用于该公司部分手机中),引起了人们的广泛关注.相变存储通常是利用材料在晶态与非晶之间的电阻率或折射率的差异,...
[期刊论文] 作者：谷立新,周夕淋,张斌,张滔,刘显强,韩晓东,吴良才,宋志棠,张泽,,
来源：电子显微学报 年份：2013
通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征。发现薄膜的晶化温度随着Sb含...
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