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[期刊论文] 作者：张永明, 钟景昌, 路国光, 秦莉,
来源：半导体光电 年份：2005
从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W...
[期刊论文] 作者：套格套,尧舜,张云鹏,路国光,初国强,刘云,王立军,
来源：光子学报 年份：2005
采用等离子体辅助电子束蒸发方法在808 nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2/SiO2系前后腔面膜.用直接测量法测量并比较了各种常用膜系的相对损伤阈值.增透膜的反...
[会议论文] 作者：单肖楠,路国光,何春凤,秦莉,晏长岭,王立军,
来源：第十七届全国激光学术会议 年份：2005
利用周期谐振增益结构设计了以InGaAs/GaAsP/AlGaAs为有源区的980nm二极管抽运垂直外腔面发射半导体激光器的材料结构.根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参量.优化了激光器特征参量并设计了光抽运垂直外腔面发射激光器的器件结......
[期刊论文] 作者：路国光, 套格套, 尧舜, 孙艳芳, 单肖楠, 王超, 刘云,
来源：半导体光电 年份：2005
对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808 nm大功率半导体激光器进行了高温恒流加速老化实验,得到了器件在高温条件下的寿命,利用外推公式推算出激光器在室温条件下工作的寿命可超过30...
[期刊论文] 作者：路国光, 套格套, 尧舜, 单肖楠, 孙艳芳, 刘云, 王立,
来源：激光杂志 年份：2005
文中介绍了半导体激光器寿命测试的理论依据,给出寿命测试的数学模型,据此对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808nm大功率半导体激光器进行高温恒流加速老化实验,得到器件在高温下的...
[期刊论文] 作者：何春凤, 路国光, 单肖楠, 秦莉, 晏长岭, 宁永强, 李,
来源：光学精密工程 年份：2005
利用周期谐振增益结构设计了以InGaAs/GaAsP/AlGaAs为有源区的980 nm二极管泵浦垂直外腔面发射半导体激光器.根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等...
[期刊论文] 作者：张永明,钟景昌,路国光,秦莉,赵英杰,郝永芹,姜晓光,
来源：半导体学报 年份：2005
采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究．用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移...
[期刊论文] 作者：何春凤,路国光,单肖楠,秦莉,晏长岭,宁永强,李特,孙艳芳,,
来源：光学精密工程 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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