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[学位论文] 作者：邱冲,,
来源： 年份：2008
相对于蓝宝石和SiC而言,Si衬底与GaN薄膜之间存在着更大的晶格失配和热失配,Si衬底GaN基LED外延膜生长技术和器件的稳定性面临着更大的挑战。本文就SiN钝化膜对Si衬底GaN基LE...
[期刊论文] 作者：邱冲,刘军林,郑畅达,姜乐,江风益,
来源：发光学报 年份：2008
利用等离子辅助化学气相沉积（PECVD）系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜，并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验，首次研究了SiN钝化......
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