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[期刊论文] 作者：刘金娥,廖燕平,荆海,张志伟,付国柱,邵喜斌,,
来源：液晶与显示 年份：2006
分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针...
[期刊论文] 作者：刘金娥,廖燕平,齐小薇,高文涛,荆海,付国柱,李世伟,邵喜斌,,
来源：液晶与显示 年份：2006
a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的......
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