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[期刊论文] 作者：边历峰,江德生,陆书龙,
来源：稀有金属 年份：2004
分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S-型反常温度依赖关系.并对材料进行了退火处理,结果发...
[期刊论文] 作者：谭明, 季莲, 赵勇明, 朱亚旗, 陈治明, 陆书龙,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
用在InP衬底上失配生长的能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As制成了热光伏(TPV)电池。对其光伏特性的测试分析表明,通过对As组分渐变的InAsxP1-x缓冲层厚度的优化,可以将晶格失配引...
[期刊论文] 作者：龙军华, 谭明, 季莲, 肖梦, 吴渊渊, 陆书龙, 代盼,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2004
InGaAs电池具有吸收带隙低,效率高,稳定性好的优点,广泛应用于热光伏（TPV）器件.本文从材料生长,器件制造和系统综合方面研究了InP衬底上0.73 eV In0.53Ga0.47As晶格匹配和0.6 e...
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