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[会议论文] 作者：代盼,陆书龙,季莲,何巍,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
我们报道了利用分子束外延方法(MBE)生长的GaAs/GaInP 双结太阳电池的最近结果.在一个太阳AM1.5G 下，光电转换效率达到27％.同时，单结的GaAs底层电池和GaInP顶层电池也分别达到26％和16.6％的效率.基于理想电池的能量转化和底层电池与顶层电池的特性分析了GaAs/GaInP双......
[会议论文] 作者：朱亚旗,陆书龙,季莲,赵勇明,谭明,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文主要研究了在InP衬底上利用MOCVD外延技术成功生长了晶格失配大于1.1％厚度约为3微米的In0.68Ga0.32As薄膜材料；通过As组分的改变，在InAsxP1-x缓冲层中形成了张应变和压...
[会议论文] 作者：何巍,陆书龙,江德生,董建荣,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文利用光荧光(PL)和拉曼(Raman)研究了Ge衬底上生长的掺硅GaInP 的光学性质.实验发现,1.4Ev处的宽发光峰的强度与是否掺硅有关,我们认为它由[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]络合物引起.同时,Raman 光谱证实掺硅GaInP 中存在[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物.[Ge(Ga,In)-V(Ga......
[会议论文] 作者：谭明,朱亚旗,季莲,赵勇明,何巍,陆书龙,陈治明,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
在InP衬底上通过金属有机物化学汽相淀积(Metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)的方法制成了能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As热光伏电池,对其光伏特性的研究表明,...
[会议论文] 作者：谭明,季莲,赵勇明,何巍,朱亚旗,陈治明,陆书龙,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
在InP衬底上通过金属有机物化学汽相淀积(Metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)的方法制成了能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As热光伏电池,对其光伏特性的研究表明,通过基区宽度的优化,减小了基区的串联电阻,从而大幅改善了热光伏电池的性能.在AM1.5G标准......
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