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具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管
[期刊论文] 作者：顾宇强,谭明,吴渊渊,卢建娅,李雪飞,陆书龙, 来源：红外与毫米波学报 年份：2021
通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系.利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流.制成的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致.在获得0.85 A/W的高响应和155 GHz的增益......
具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管（英文）
[期刊论文] 作者：顾宇强,谭明,吴渊渊,卢建娅,李雪飞,陆书龙, 来源：红外与毫米波学报 年份：2021
通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流。制成的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致。在获得0.85 A/W的高响应和155 GHz的......
Dual-wavelength ultraviolet photodetector based on vertical(Al,Ga)N nanowires and graphene
[期刊论文] 作者：周敏,赵宇坤,边历峰,张建亚,杨文献,吴渊渊,邢志伟,蒋敏,陆书龙, 来源：中国物理B:英文版 年份：2021
Due to the wide application of UV-A(320 nm–400 nm)and UV-C(200 nm–280 nm)photodetectors,dual-wavelength(UV-A/UV-C)photodetectors are promising for future markets.A dual-wavelength UV photodetector based on vertical(Al,Ga)N nanowires and g......
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