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[期刊论文] 作者：李海鸥,李跃,李琦,肖功利,马磊,丁志华,韦春荣,
来源：桂林电子科技大学学报 年份：2018
为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道MOSFET器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件的Ⅰ-Ⅴ特性进行了模拟仿真和分析。实验结...
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