搜索筛选:
搜索耗时0.8286秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1,000 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：盛柏,,
来源：艺苑 年份：2004
每年5月中旬,欧洲都会迎来一年一度的"博物馆之夜",期间,众多博物馆向公众免费开放至午夜。居斯塔夫·库尔贝作为现实主义画派的开创者,其艺术造诣不用赘言。作为一次欧洲"博...
[期刊论文] 作者：韦盛,
来源：城市建设理论研究（电子版） 年份：2004
随着我国道路交通安全设施的集中修建，在一些岩溶地质情况下修建高速公路的情况越来越多，在岩溶地质条件下修建隧道的长度也越来越长，为防止在施工过程中发生由于地质条件引起的......
[学位论文] 作者：韦盛,,
来源：合肥工业大学 年份：2004
近年来,无人机技术发展迅速,许多行业都可以使用无人机来解决。目前,基于图像的无人机识别跟踪输电线技术仍然是一个需要急于解决的难题,其突破点在于输电线路的准确识别和自...
[期刊论文] 作者：韦柏君,
来源：金色年华（下） 年份：2004
毛泽东的反腐倡廉思想是毛泽东思想理论中的非常重要的一环，具有丰富的思想内容和鲜明的特点，学习毛泽东的反腐倡廉思想对我们社会的发展有很大益处。...
[期刊论文] 作者：吕柏盛,
来源：中学生物教学 年份：2004
...
[会议论文] 作者：盛柏松,,
来源： 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：吕柏盛,,
来源：教书育人 年份：2004
...
[学位论文] 作者：安盛柏,,
来源：大连理工大学 年份：2004
本文研究带电粒子与微纳尺度材料相互作用,其中包括带电粒子与纳米小球以及与有限厚度无限大金属平板的相互作用。研究过程对纳米小球和金属板中的电子激发和极化所产生和的...
[学位论文] 作者：廖柏盛,,
来源：海南大学 年份：2004
党员当家作主的重要实现途径是党员代表大会,这是承载党内民主最基本的制度设计,党内民主的深化应从此处着手。要想保持党员当家作主的连续性,以及保持党的代表大会这个最高...
[会议论文] 作者：章柏盛,,
来源： 年份：2004
在含铝岩系地层沉积相标志非常缺乏的情况下,本文对研究区范围内的各类相标志作了系统、全面地探索性的研究,进而在综合分析各类相标志的基础上,进行了沉积环境的探讨,指出了...
[期刊论文] 作者：樊盛柏,
来源：湖南省社会主义学院学报 年份：2004
在经济体制转型过程中,发展非公有制是可行的。从理论上讲,发展非公有制经济坚持了马克思的生产力决定所有制的观点;从实践上看,建国后我国社会主义建设的经验教训,说明了发...
[期刊论文] 作者：刘柏盛,
来源：理论学习与探索 年份：2004
党的十六届四中全会通过的,对于加强党的建设,不断提高党的执政水平,团结带领各族人民,推动全面建设小康社会的进程,有着十分重要...
[期刊论文] 作者：吕柏盛,
来源：中学生物学 年份：2004
1提出问题研究性学习是学生在教师的指导下进行主动探究、解决问题的学习过程.在学习过程中通常以课题研究为载体,其形式主要有调查研究、实验研究和文献研究.调查研究是事后...
[期刊论文] 作者：樊盛柏,
来源：湖南税务高等专科学校学报 年份：2004
目前我国税收成本过高,其主要原因有:一是税收征管机构不合理;二是由于税收征管手段的更新;三是税制设计上的缺陷;四是税务人员的素质.我国可针对以上原因采取切实可行的措施...
[期刊论文] 作者：盛柏桢,,
来源：集成电路通讯 年份：2004
本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。...
[期刊论文] 作者：蒋盛柏,
来源：社区 年份：2004
一对80高龄的老人,同年同月同日出生在同乡同村,在学校是同学;在单位是同事;党内是同志,因此被人们戏称为“八同神仙”。在革命战争年代他们出生入死为党工作,离休后身患癌症...
[期刊论文] 作者：盛柏桢,,
来源：半导体信息 年份：2004
NTT 公司在室温下已研制成能够存储数据和信号处理和极细硅细线单电子器件,耗散功率为以前的1/1000。硅细线为30nm,在硅衬底上照射电子束,作为多晶硅电极,并改变加在这种电...
[期刊论文] 作者：盛柏桢,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
据日本《电视学会志》1990年第4期报道,日本京都大学在世界上最早研制成把声表面波器件、电子器件和光电路集成在一块半导体衬底上的新器件.新型器件利用声表面波改变光前进...
[期刊论文] 作者：盛柏桢,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
据《O Plus E》1992年第147期报道,日本新技术事业团已开发高纯度、低晶格缺陷的GaAs单晶制造技术,即用蒸气控制法制作GaAs单晶的技术。这种单晶材料能提高发光二极管、半导...
[期刊论文] 作者：盛柏桢,
来源：半导体技术 年份：2004
日本电气学会杂志1989年第3期报导,日立制做所采用热分子束法开发了极低损伤、高选择性微细加工干法腐蚀技术。目前半导体器件制做中通常采用等离子腐蚀法。但等离子刻蚀中...
相关搜索：
