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[会议论文] 作者：高玉竹,龚秀英,山口十六夫,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8-12μm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了一个InSb单晶和三个不同组分的InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品的截止波长与理论算得的数......
[会议论文] 作者：高玉竹[1]龚秀英[1]山口十六夫[2],
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8-12μm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了一个InSb单晶和三个不...
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