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[期刊论文] 作者：高玉竹,龚秀英,吴广会,冯彦斌,方维政,,
来源：光电子.激光 年份：2010
用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量,位错密度达到104cm-2量级。室温下,...
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