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[期刊论文] 作者：哈继欣,高玉竹,,
来源：上海师范大学学报(自然科学版) 年份：2012
提出了一种无静态漏电流的高性能电平转换器．与现有的电平转换器不同，此设计能够在无静态功耗的情况下，将阈值电压转换为全摆幅输出，只要输入电平高于输出端电压域的NMOS的阂值电......
[期刊论文] 作者：杜传兴,高玉竹,龚秀英,方维政,,
来源：电子与封装 年份：2012
用熔体外延（ME）法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层，用扫描电子显微镜（SEM）观察了样品的横截面，并测量出外延层的厚度达到100μm，用X-射线衍射（XRD）谱研究了InAsSb外延层的结构性质。测......
[期刊论文] 作者：高玉竹,龚秀英,Makino T,Yamaguchi T,Rowell N L,,
来源：光电子.激光 年份：2012
用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL...
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