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[期刊论文] 作者：敬小成,黄美浅,姚若河,
来源：微电子学 年份：2005
文章研究了采用氩气和氦气作携带气体时气体流量对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。实验结果表明,当采用氩气作携带气体时,其流量选择在氩气∶刻蚀气体≈1∶1...
[期刊论文] 作者：宋清,黄美浅,李观启,
来源：应用光学 年份：2005
利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-x SrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器.测试了...
[期刊论文] 作者：宋清,黄美浅,李观启,
来源：应用光学 年份：2005
利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-XSrXNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-XSrXNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器.测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电......
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李旭,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2005
用550eV的低能量Ar+离子束轰击n-MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率)以及低频噪声等.结果表...
[期刊论文] 作者：朱炜容,黄云,黄美浅,钮利荣,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2005
进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化.退化模式主要表现为饱和漏电流IDSS减小,...
[期刊论文] 作者：李斌,李观启,黄美浅,刘玉荣,陈平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
对三种二氧化硅层厚度(10 nm、25 nm、40 nm)的器件进行测试,研究二氧化硅层的厚度对Ba1-xLaxTiO3多功能传感器敏感特性的影响.结果表明,对于MIS电容传感器,氧化层越薄,湿敏...
[期刊论文] 作者：黄美浅,朱炜玲,章晓文,陈平,李观启,
来源：微电子学 年份：2005
研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,特别是当沟道长度小于1mm时更是如此....
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