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[期刊论文] 作者：BurkeF,RambhatlaA,ZahurakJ,Par,
来源：南京师范大学学报：工程技术版 年份：2003
描述了用以进行n-沟道动态电位DTMOS半导体器件源极/漏极载流子注入优化设计的实验结果,该器件制造采用了低成本0.15微米SOI和SOC(system-on-chip,系统集成芯片)技术,同时也...
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