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4-23 Radiation Effects Study of High-k HfO2 Gate Device
[期刊论文] 作者：Li Zongzhen,Liu Jie,Zhai Pengf, 来源：中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版 年份：2016
The gate dielectric thickness decreases dramatically with the continuous scaling of MOS devices,which has serious consequences on the leakage current and the po...
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