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[期刊论文] 作者：LI Zhan-guo,LIU Guo-jun,LI Mei,
来源：发光学报 年份：2004
InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构...
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