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[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：液晶通讯 年份：1994
巳研制出一种用于LCDs背照明的有效、均匀。低成本的灯。它的使用降低了航空以及商品化显示器LCDs的厚度、功率和重量。...
[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1990
本文介绍了在“DC粉末EL显示器系统”方面所开展的工作。这项研究对DC电致发光显示器的亮度衰减机理提出了新的论点。根据研究成果,由接触开关控制的显示器商品已经问世。...
[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：发光快报 年份：1995
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[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1991
一、引言显示面积大并具有多个灰度级的有源矩阵TFT—LCDs已得到广泛地发展。我们制做了10英寸对角线16个灰度级(4096种颜色)的a—Si TFT—LCDs,矩阵分辨率高达480(V)×6...
[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：液晶与显示 年份：1991
用3～4乇低压 MOCVD 技术在 Si（100）【011】偏4°衬底上成功地生长了 GaAs 外延层,使用的源材料是 TEG 和AsH3,温度为590～610℃。这是一种一步生长技术,没有初始缓...
[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1991
我们研制出46英寸高分辨率、高亮度紧凑型背投影显示器,它可以自动显示三种画面,即ID(NTSC)、ID(NTSC)和HD。显示器的水平分辨率为800条电视线,宽高比为16∶9,峰值亮度1370cd...
[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：发光快报 年份：1993
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[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1990
利用温差溶液原理首次在液相外延生长领域实现了GaAlAsLED的批量生产。由于GaAlAs外延层结晶质量的改善,LED器件的效率得到不断改进。通过对晶体生长的各种实验测定了最佳的...
[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：液晶与显示 年份：1989
系统图象存储,宽范围图象和输出器件间的高速数据转换器可以采用Primagraphics扫描器/描绘器DMA接口板。为了把这种板用在Topaz绘图系统中,转换器速度可达到2兆比特/秒,而且...
[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：液晶与显示 年份：1989
本文报道了采用气流分散法将大粒径无电致发光的ZnS:Cu,Cl荧光粉分散为粒径小于1μm的荧光粉,由此,制备出了具有正态粒度分布的电致发光小粒径荧光粉。然后对这种气流分散的...
[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1989
多层干涉滤光片提高了用于投影电视阴极射线管的亮度。这些滤光片对发射光的色度也有影响。根据第一原理计算出了这两种效应,采用这些计算方法,发现通过使用多层干涉滤光片,...
[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1989
本文首次讨论了常压下MOVPE生长技术在大批量生产InP基质光-电器件方面的应用,并介绍了材料目前的质量、大面积均匀性、器件性能、产率及可靠性等方面的情况。结果表明用MOVP...
[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：液晶与显示 年份：1990
用高纯度Zn和Se做原材料研究了在GaAs(100)和ZnSe(110)衬底上外延生长ZnSe薄膜.实验是在723和873K下进行的,用光致发光测量、二次离子值谱仪(SIMS)、椭圆对称分析和光学显微...
[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：液晶与显示 年份：1991
用 TMG,AsH3和 AsCl3作气体源实现了常压有机金属气相外延 GaAs 的完全选择外延。在650—750℃的生长了温度观察下选择能力。Si3N4...
[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1991
本文报道了一种发白光的 SrS:Ce,K,Eu 薄膜电致发光(TFEL)器件,在超出阈值电压40V,频率为1kHz 的驱动下,亮度可达325cd/m~2,效率为0.151m/W.对以SrS 为基质的 TFEL 器件的亮...
[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1989
本文论述了可调谐彩色电致发光(TCEL)器件及控制系统在技术方面的最新进展。首先讨论了薄膜电致发光(TFEL)屏中的多色技术现状。其次,介绍了在降低阈值电压方面的最新成就以...
[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1990
对加电场的ZnSe/ZnS应变层超晶格(SLSs)进行了光致发光测量,并观察到发光猝灭和峰向较低能侧的移动。这些现象与ZnSe阱中由电场引起的电子——空穴分离有关。作者用ZnSe/ZnS...
[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：液晶与显示 年份：1990
用具有调制源的分子束外延(MBE)轻掺杂Si生长出GaAs层,并利用低温光致发光测定了它的特性。在光致发光光谱的近带边区观察到了自由激子和束缚激子发射。与杂质有关的发射在光...
[期刊论文] 作者：师庆华,
来源：液晶与显示 年份：1991
本文研究了CaS1-xSex∶Eu（0【x【0.5）荧光粉层的薄膜特性,薄膜是用 CaS∶Eu 和 Se 源并利用共蒸发技术制备的。使用这种荧光粉层的红色电致发光器件在频...
[期刊论文] 作者：师庆华,,
来源：发光快报 年份：1990
本发明是铽激活硅酸钇发光材料的制备方法,尤其是绿色发光的材料。根据工艺,制备发光材料的具体步骤是:选择适当数量的钇化合物,氧化硅和氧化铽。将选好的化合物混合,添...
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