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[期刊论文] 作者:蒋凤,明, 来源:江西师范大学学报(自然科学版) 年份:1994
本文介绍了用分级洗脱柱色谱分离技术分离7-乙酰氧甲基异长叶环烯和7-乙酰氧甲基异长叶烯的方法,并用IR、'HNMR、MS等手段对两个化合物的结构进行了表征....
[期刊论文] 作者:崔德升,, 来源:河北工业大学学报 年份:1997
采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了PS在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明PS具有良好的上转换荧光特性,并随着存放时间的延长,在一定期了内峰值强度有明显的增强......
[期刊论文] 作者:明,蒋凤, 来源:色谱 年份:1994
柱色谱法分离异长叶烯的Prins反应产物刘彩明,蒋凤池(南昌大学化学系南昌330047)(江西师范大学化学系南昌330027)1前言异长叶烯<Ⅰ>是长叶烯的异构化产物 ̄[1]。它与多聚甲醛在冰乙酸中反应(Prins反应)得到两种主要......
[期刊论文] 作者:,李养贤, 来源:科学通报 年份:1994
近年来,随着半导体缺陷工程的发展,人们极其关注对辐照缺陷的研究.中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的...
[会议论文] 作者:,徐岳生, 来源:第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份:1995
[期刊论文] 作者:任丙彦,,等, 来源:人工晶体学报 年份:2000
为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入,对常规的406mm(16英寸)热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数......
[期刊论文] 作者:李伟,,徐岳生, 来源:科学通报 年份:1992
一、引言 近年来,随着缺陷工程的发展,有关CZ硅辐照缺陷的研究得到了极大的关注。中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中...
[期刊论文] 作者:彭燕,翔, 来源:宜春医专学报 年份:2000
[期刊论文] 作者:许莲,徐平, 来源:临床儿科杂志 年份:1993
我科于1980年9月至1986年8月先后收治同胞兄弟患血小板衰弱症2例。第一次入院年龄分别为1岁、9个月,住院分别为4次、3次。患儿父母为表兄妹近亲结婚。主诉均为全身皮肤瘀点...
[期刊论文] 作者:,, 来源:中国民兵 年份:1987
吉林省伊通县预备役团团长王涛上任一年里,写下了一本厚厚的工作日记。其中有十几篇记载着县委、县人大、县政府的领导关心支持预备役团的事。这里摘录几篇。高书记赶会 7月...
[期刊论文] 作者:,, 来源:中国民兵 年份:1989
在平齐铁路线上有个玻璃山车站,站旁有个600户人家的玻璃山村。这里的夜一直是不平静的。一些不速之客,常常借着夜幕的掩护,从南来北往的列车上跳下来与本地流氓歹徒勾结在...
[期刊论文] 作者:,, 来源:机械工人.冷加工 年份:1984
随着机床产品质量的提高,要求机床液压元件的质量更高。目前,有些液压元件因渗漏满满足不了主机的需要,为此,我们以 J-25B 减压阀为例,对液压元件的渗漏进行了分析、治漏,放...
[期刊论文] 作者:,, 来源:黄河建设 年份:1957
一、对锥探质量的开挖检验与分析:黄河下游大堤锥探工程是由1950年开始,从小锥改用大锥,由灌沙改为灌浆,几年来不论是操作技术或劳动组合等各方面部有很大的改进和提高,从发...
[期刊论文] 作者:,, 来源:中国民兵 年份:1991
马仁兴,1903年生,河北平乡县人。曾参加过北伐战争。在任蒋军骑兵28团团长期间,秘密加入中国共产党。1938年率部起义,任我军团长、旅长、师长等职。在抗日战争期间多次立战...
[期刊论文] 作者:,, 来源:中国民兵 年份:1992
车流,奔腾不息的车流,色彩纷呈的车流,给都市带来多少繁华,给大地增添多少锦绣。中国大地上车流的江河啊,哪里是你的源头!在东经125度零2分,北纬43度47分组成的地球座标点上...
[期刊论文] 作者:,, 来源:中国民兵 年份:1992
吉林省某预备役通信团无线连把专业技术训练同预编人员的军事工作职责有机结合起来,为经济建设做出了积极的贡献。这个连组建在通化钢铁公司,该公司所属的四矿一厂分布在三...
[期刊论文] 作者:张莲,王定, 来源:中华国际医学杂志 年份:2001
[期刊论文] 作者:,, 来源:城市道桥与防洪 年份:2001
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者:, 李养贤, 徐岳生,, 来源:科学通报 年份:1994
近年来,随着半导体缺陷工程的发展,人们极其关注对辐照缺陷的研究.中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的...
[会议论文] 作者:徐岳生,李养贤,, 来源:1998年全国半导体硅材料学术会议 年份:1998
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