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[期刊论文] 作者：王信,陆妩,吴雪,马武英,崔江维,刘默寒,姜柯,,
来源：物理学报 年份：2014
为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线...
[期刊论文] 作者：丛忠超,余学峰,崔江维,郑齐文,郭旗,孙静,周航,,
来源：发光学报 年份：2014
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响.实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极...
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiatio
[期刊论文] 作者：郑齐文,余学峰,崔江维,郭旗,任迪远,丛忠超,周航,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories(SRAMs) during total dose irradiation is investigated in detail. As the dose accumulates, the...
3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunct
[期刊论文] 作者：张晋新,郭红霞,文林,郭旗,崔江维,王信,邓伟,郑齐文,范雪,肖尧,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon–germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe H...
[期刊论文] 作者：崔江维,郑齐文,余学峰,丛忠超,周航,郭旗,文林,魏莹,任迪远,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
We investigate how γ exposure impacts the hot-carrier degradation in deep submicron NMOSFET with different technologies and device geometries for the first tim...
[期刊论文] 作者：丛忠超,余学峰,崔江维,郑齐文,郭旗,孙静,汪波,马武英,玛丽娅,周航,,
来源：物理学报 年份：2014
以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结...
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