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[期刊论文] 作者：陶平,易扬波,吴建辉,
来源：现代电子技术 年份：2005
白光LED由于其工作寿命长和能耗低的特点,为无线通讯产品的应用提供了完美的背光方案,其驱动芯片的设计大部分采用电压模式和电流模式两类控制方案.电流控制型白光LED驱动电...
[期刊论文] 作者：陆生礼,孙伟锋,易扬波,伍玉萍,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体...
[期刊论文] 作者：赵野,孙伟锋,易扬波,鲍嘉明,
来源：应用科学学报 年份：2005
基于高压VDMOST的物理机理和特殊结构,详细分析、推导了漂移区电阻、埋层电阻、内部节点电压及内部耗尽层宽度随外加偏压变化而变化的情形;采用数值计算的方法,建立了较精确...
[期刊论文] 作者：李海松,孙伟锋,易扬波,俞军军,陆生礼,
来源：半导体学报 年份：2005
功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能，本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性，在不影响NLDMOS直流特性的前提下，通过改变鸟嘴位置，得到具......
[期刊论文] 作者：俞军军,孙伟锋,易扬波,李海松,陆生礼,
来源：微电子学 年份：2005
借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd...
[期刊论文] 作者：赵野,孙伟锋,易扬波,鲍嘉明,时龙兴,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
基于高压VDM O S器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了...
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