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[期刊论文] 作者：刘超,曾一平,,
来源：半导体技术 年份：2009
窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系。概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各...
[期刊论文] 作者：刘进良, 陈宇鹏, 黄培昆, 曾一平,,
来源：福建医药杂志 年份：2009
我院近5年共救治小儿颅脑外伤患儿56例，分析如下。1临床资料...
[期刊论文] 作者：吴巨,曾一平,王宝强,朱占平,王占国,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
用快速率（1．0ML／s）生长MBEInAs／GaAs（001）量子点。原子力显微镜观察结果表明，在量子点体系形成的较早阶段，量子点密度N（θ）随InAs沉积量θ的变化符合自然指数形式N（θ）∝e^k（θ-θ0），这与以前......
[期刊论文] 作者：黄振,于斌,赵国忠,张存林,崔利杰,曾一平,,
来源：激光与红外 年份：2009
研究了5种小孔径光电导天线的太赫兹发射特性，并且对它们所发射的太赫兹波进行了对比，为研制高效率的太赫兹波发射源提供了参考依据。利用太赫兹时域光谱技术测量了光电导天线......
[期刊论文] 作者：纪刚,孙国胜,刘兴昉,王雷,赵万顺,曾一平,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2009
Epitaxial growth on n-type 4H-SiC 8°off-oriented substrates with a size of 10×10 mm2 at different temperatures with various gas flow rates has been performed...
Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreadin
[期刊论文] 作者：杨华,王晓峰,阮军,李志聪,伊晓燕,段垚,曾一平,王国宏,,
来源：半导体学报 年份：2009
Gallium nitride (GaN) based light emitting diodes (LEDs) with a thick and high quality ZnO film as a current spreading layer grown by metal-source vapor phase e...
[期刊论文] 作者：韩春林,陈辰,邹鹏辉,张杨,曾一平,薛舫时,高建峰,张政,耿涛,,
来源：半导体学报 年份：2009
We have fabricated In0.53Ga0.47As/AlAs/InP resonant tunneling diodes(RTDs) based on the air-bridge technology by using electron beam lithography processing.The...
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