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[期刊论文] 作者：张冠英, 梅俊平, 解新建,,
来源：半导体技术 年份：2010
第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOC...
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