搜索筛选:
搜索耗时0.8039秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：谷文萍, 张林, 李清华, 邱彦章, 郝跃, 全思, 刘盼枝,
来源：物理学报 年份：2004
本文采用能量为1 MeV的中子对SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件进行了最高注量为1015cm-2的辐照.实验发现:当注量小于1014cm-2时,器件特性退化很小,其中栅电...
相关搜索：
