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[期刊论文] 作者：倪金玉,李忠辉,孔岑,周建军,陈堂胜,郁鑫鑫,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）微波功率性能和击穿性能的不良影响...
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